摘要
随着汽车电子技术的迅速发展，对功率器件的性能要求日益提高。
第三代半导体材料金刚石以其超宽禁带宽度、高载流子迁移率和高击穿场强等优异性能，成为未来汽车电子功率器件的理想材料。
而掺杂是调控金刚石电学性质的关键技术，对其在电子器件中的应用至关重要。
本文综述了金刚石掺杂的研究进展，首先介绍了金刚石的晶体结构、电子性质以及掺杂金刚石的意义，然后重点阐述了不同掺杂元素（如氮、硼、磷等）对金刚石性能的影响，并探讨了掺杂浓度和掺杂方式对金刚石电学和光学性质的影响机制。
最后，展望了金刚石掺杂在汽车电子领域的应用前景，并指出了未来研究方向。
关键词：汽车电子；第三代半导体；金刚石；掺杂；第一性原理计算
近年来，汽车电子技术发展迅速，汽车电子化程度越来越高，对汽车电子功率器件的性能也提出了更高的要求。
金刚石作为第三代半导体材料的典型代表，具有优异的物理和化学性质，如超宽禁带宽度（5.5eV）、高载流子迁移率（4500cm^2/Vs）、高击穿场强（10MV/cm）、高热导率（2000W/mK）等，在高温、高频、高压、高功率等极端环境下展现出巨大的应用潜力，成为制备下一代高性能电子器件的理想材料。
然而，金刚石的本intrinsic性质限制了其在电子器件中的应用。
金刚石是一种共价键化合物，具有很高的电阻率，难以实现有效的载流子传输。
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