亚单层InAs量子点结构参数对载流子动力学特性影响文献综述

 2023-04-16 09:05:44

文献综述

1.1研究背景、目的及意义a）研究背景量子点以其独特的物理内涵和应用前景成为近年来人们研究的热点，理论预计以量子点为有源区的激光器将具有很高的特征温度和非常低的阈值电流等优点。

以S-K（Stranski - Krastanow）模式自组织生长的量子点是在两种晶格不匹配的材料的界面处生成的一种弹性三维岛。

由于岛的形成，大大释放了由于应变所产生的弹性能，所以生成的量子点中位错缺陷很少，结构完整；但自组织量子点的缺点是尺寸、均匀性等很难控制，大大限制了其应用前景。

而InAs量子点被广泛应用在太阳电池、探测器等光电器件领域，相比于S-K生长的量子点，亚单层量子点具有量子限制效应强、生成缺陷少等优点。

b）研究目的及意义本课题通过构建具有亚单层结构的量子点模型，研究亚单层InAs量子点中结构参数对量子点能带结构及载流子动力学特性影响。

对于半导体材料及器件来说,无论是在照明领域还是在光伏领域,其电荷载流子的动力学过程对于材料特性以及器件性能都起到决定性的作用。

而利用亚单层量子点材料制备的激光器具有高增益和高的调制宽度等特性,可以用于激光切割、光纤通讯泵浦源等领域。

1.2国内外研究综述a）国内研究综述关于亚单层量子点的研究，[1]利用低温GaAs外延层特殊的物理特性，在其上生长了2ML的InAs量子点，并利用TEM和P谱对所有生长的量子点与通常生长的GaAs外延层上的量子点进行了对比研究。

其结果为控制GaAs外延层上的量子点提供了一种新的方法。

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