- 文献综述（或调研报告）：
碳化硅的微波合成与光致发光特性研究进展
摘要：本文首先讲述了SiC的一些性质及其应用领域。再则论述了SiC合成的各种方法：碳热还原法、模板法、溶胶-凝胶法、化学气相沉积、电弧直流放电法、和微波辐照法。在这些方法中，本文对微波辐照法进行了比较详细的讲述。对于光致发光光谱检测半导体材料的方法也进行了简单的介绍。
关键词：SiC；制备方法；微波合成；光致发光特性；
1.引言
SiC材料以其优异的高温强度、高热导率、高耐磨性和耐腐蚀性而被广泛地应用于磨料磨具、耐火材料、冶金、高温结构陶瓷等诸多工业领域[1]。碳化硅目前主要是用作磨料和耐火材料，而且这两项用途占了碳化硅产量中的大部分。
此外，碳化硅半导体材料是继第一代半导体材料（Si）和第二代化合物半导体材料（GaAs、GaP、InP等）之后发展起来的第三代宽带隙半导体材料，其电学、光学及力学等性能都很独特，同时具有宽的禁带间隙、大的击穿电场、高的热导率，以及高的电子饱和漂移速度等特点，使其在高温、高频、高功率和抗辐射等极端环境下工作的光电子器件制备方面有着不可估量的的应用潜力和发展前景[2]。
2 碳化硅的晶体结构
碳化硅的基本结构单元是SiC四面体，属于密堆积结构，目前已经发现的同质多形体就有250多种。众所周知，块状碳化硅以多种不同的形式结晶，称为多晶型。最常见的有立方型(3C或beta;)、六方形(4H和6H)和一些菱形(9R、15R和21R)[3]。另，碳化硅可简单分为alpha;-碳化硅和beta;-碳化硅，alpha;-碳化硅为六角晶系结晶构造（似纤锌矿）；beta;-碳化硅，则为立方晶系结构，类金刚石结构。
图一 2H-SiC六方纤锌矿结构 图二 3C-SiC立方闪锌矿结构
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