摘要
作为一种重要的二维材料，二硫化钼（MoS2）因其独特的光学性质在光电子器件领域展现出巨大潜力。
应变工程作为一种有效的调控手段，可以显著改变MoS2的电子能带结构，进而影响其光学性质。
本文回顾了近年来应变作用下多层MoS2光学性质的第一性原理研究进展。
首先介绍了MoS2的晶体结构、电子能带结构以及应变工程的基本概念。
接着，详细阐述了应变对MoS2能带结构、光吸收谱、拉曼光谱以及激子效应等光学性质的影响，并对相关理论计算方法进行了介绍。
最后，总结了该领域的研究现状，并对未来发展方向进行了展望。
关键词：二硫化钼；应变工程；光学性质；第一性原理计算；二维材料
#1.1二维材料与MoS2
自2004年石墨烯被成功制备以来，二维材料以其独特的物理化学性质引起了科学界的广泛关注。
作为二维材料家族的重要成员，MoS2具有与石墨烯类似的层状结构，层内原子之间通过强共价键结合，而层间通过弱范德华力相互作用，因此可以很容易地被剥离成单层或少层结构。
与零带隙的石墨烯不同，MoS2具有合适的带隙（约1.8eV），使其在光电子器件领域具有更广阔的应用前景。
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