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铁基超导体Tl0.58Rb0.42Fe1.72Se2中临界电流的研究
摘要：在不同温度下对超导晶体的钉扎机理进行系统的研究之后，科学家们发现集体钉扎模型依赖于临界电流密度JC，并且晶体起源于平均自由程的空间变化。利用Bean模型，能够很好的从磁滞回线中计算出JC值，从而进一步分析钉扎机制。
关键词：临界电流密度JC； 磁滞回线； 第二磁化峰； 钉扎机制
1911年荷兰物理学家昂内斯发现汞在温度降至4.2K附近时突然进入一种新状态，其电阻小到用当时的实验设备无法测量出来，当然其电阻已经进入了超导状态，他把汞的这一新状态称为超导态。由此，引发了许多科学家的思考，逐渐的对超导领域的了解越来越深入。
当然，目前所能维持超导状态的条件只能在低温状态下，所以超导的发现和发展，与低温的获得密切相关。昂内斯等人通过对氦气的液化，并进一步节流膨胀技术使得汞低至1.5 K 的低温环境，他们在测量金属汞在低温下的电阻时，发现当温度降至4.2K 以下时，汞的电阻突然下降到仪器测量不到的最小值。由此，第一个超导体诞生，并把刚进入超导状态下的温度称之为临界温度。
超导是一种宏观量子现象，它在微观上体现为费米面附近的电子配对，同时建立长程位相相干从而发生凝聚，这其中包含有丰富的物理内涵，表现出特殊的性质。在这之中最基本性质有两种：零电阻现象和完全抗磁性（迈斯纳效应）。如果将超导材料的奇特效应应用到实际社会生产、生活中，必将引发新的工业革命。自从昂内斯发现超导现象后，超导研究经过了几十年的发展历程，但是其材料临界温度仍然很低。在1973年找到的Tc = 23.2K的Nb3Ge薄膜，直到1985年都仍保持超导临界温度的记录。但是过低的超导临界温度，将大大限制超导材料在现实社会中应用的可能。
